IT之家 3 月 19 日音信开yun体育网，据法媒 ECInews 报说念，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技能试点线）款式 FAMES 当地时辰 18 日讲求通告对外公开搜集策动领受 10nm、7nm FD-SOI 全消耗型绝缘体上硅工艺的芯片联想。

FAMES 款式的合作员 Dominique Noguet 示意基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片瞻望将于 2027 年推出。该制程节点将领受 193nm ArFi DUV 光刻机，领受 SADP 自瞄准双重曝光已矣。

FAMES 中试线将提供用于先进 FD-SOI 节点的性能评估 PDK（IT之家注：工艺联想套件），以及用于测试联想的 MPW 多款式晶圆用 PDK。

除逻辑制程外开yun体育网，FAMES 中试线也同样配套的片上镶嵌式 NVM 非易失性存储。FAMES 牵头款式国 CEA-Leti 辩论所已收效制得 OxRAM（氧化物基阻变存储器）样品，正在同样 FRAM / FeFET（铁电存储器）和 MRAM（磁性存储器）。

告白声明：文内含有的对外跳转贯穿（包括不限于超贯穿、二维码、口令等款式），用于传递更多信息，节俭甄选时辰，效果仅供参考，IT之家总共著述均包含本声明。

]article_adlist--> 　　声明：新浪网独家稿件，未经授权辞谢转载。 -->